| 伴随物联网、人工智能、新能源汽车、消费类电子产品等持续增长，gao端芯片需求不断增加，芯片制程不断减小，集成电路相关的材料的检测要求也达到了新的高度。与集成电路制程相关的晶圆、衬底材料、湿电子化学品、电子特气、光刻胶等，以及车间环境空气和超纯水中痕量的金属离子、非金属阴离子和阳离子的xian量越来越低。为满足半导体制程需求，半导体设备与材料协会(semi)制定的相关标准在不断提升，国内集成电路材料企业也在不断提升产品质量，对相关杂质的xian量要求正在接近或超越Semi标准。 2022年9月27日，赛默飞世尔科技与上海市电子化学品计量检测平台在集成电路及材料研发聚集地上海张江，联合举办了2022集成电路材料检测高端论坛。本次会议特别邀请上海计量测试研究院材质中心理化室主任薛民杰、集成电路产业中心主任李春华，以及国内半导体材料及制程yi流企业和科研院所的众多资深家，就集成电路材料检测域的发展现状、技术应用、行业标准等方面进行了热烈充分的交流与探讨。
伴随物联网、人工智能、新能源汽车、消费类电子产品等持续增长，高端芯片需求不断增加，芯片制程不断减小，集成电路相关的材料的检测要求也达到了新的高度。与集成电路制程相关的晶圆、衬底材料、湿电子化学品、电子特气、光刻胶等，以及车间环境空气和超纯水中痕量的金属离子、非金属阴离子和阳离子的xian量越来越低。为满足半导体制程需求，半导体设备与材料协会(semi)制定的相关标准在不断提升，国内集成电路材料企业也在不断提升产品质量，对相关杂质的xian量要求正在接近或超越Semi标准。
2022年9月27日，赛默飞世尔科技与上海市电子化学品计量检测平台在集成电路及材料研发聚集地上海张江，联合举办了2022集成电路材料检测gao端论坛。本次会议特别邀请上海计量测试研究院材质中心理化室主任薛民杰、集成电路产业中心主任李春华，以及国内半导体材料及制程yi流企业和科研院所的众多资深家，就集成电路材料检测域的发展现状、技术应用、行业标准等方面进行了热烈充分的交流与探讨。
上海计量测试研究院集成电路产业中心主任李春华就ICP-MS在集成电路行业的解决方案进行了详细解读。李主任从事检测分析13年，参与起草国家标准12项，在湿电子化学品、超纯水、AMC、硅片、金属靶材、电子特气和光刻胶等集成电路相关材料中痕量和超痕量杂质检测方面有丰富的经验，所属实验室在多种湿电子化学品、超纯水中痕量无机金属离子、无机非金属阴离子和阳离子等检测项目已通过CNAS和CMA认证。
李主任着重介绍了集成电路产业中的关键材料湿电子化学品和电子特气的检测要求，对标semi标准详细探讨了国内相关产业的现状及标准提高的可行性，ICPMS技术在集成电路行业中的应用及发展，分享了上海计量测试研究院集成电路产业中心与赛默飞世尔科技合作开发的多项湿电子化学品、电子特气、光刻胶等材料中痕量金属离子检测方法。针对超痕量分析，李主任还现场解答了与会者在实验过程中遇到的难题，详细解读了实验室环境和人为因素对检测结果的影响。
来自赛默飞的应用家潘广文、徐牛生、王贇杰就赛默飞离子色谱、高分辨LCMS以及GDMS产品线在集成电路行业应用解决方案进行了详细解读。并与李春华主任及其他参会家就半导体行业标准、未来发展趋势、仪器分析难点等问题进行了深入讨论，现场气氛非常热烈。
半导体行业应用方案
离子色谱应用家潘广文做了题为离子色谱在集成电路行业的应用方案报告，就离子色谱在集成电路的成熟方案、方法和沿问题为在座家做了详细汇报。
“ 在集成电路用量大的超纯水检测方面，赛默飞根据Semi F63的和ASTM D5127标准提供了全面有效的阴阳离子测定方案，该方案在RSD˂5%的提下，满足20ppt的定量限要求，且连续7天24小时不停机，样品随到随测，全程只需摆放样品，近乎“零操作”； 国内厂家生产的酸、碱、有机试剂三大系列湿电子化学品中痕量阴阳离子的检测水平已经达到亚ppb~ppb别，远超semi标准； 在光刻和刻蚀域，赛默飞与行业相关生产企业合作开发了光刻胶、研磨液、抛光液、电子特气等多个方案； 同时潘老师的报告还展示了目赛默飞正在与企业合作开发的光刻相关试剂、硝酸、反应型电子特气以及新型管道包装材料中痕量阴离子测定方案。 LC-MS全国应用经理徐牛生为与会家汇报了赛默飞的高分辨质谱设备在光刻胶配方分析中的解决方案。 “ 赛默飞高分辨质谱具有高超的质量精度和灵敏度，可以精准分辨加合状态和不同峰簇之间的同位素干扰，丰富的碎片和质量精度可以帮助判断化合物结构组成，正负离子同时扫描可以获得更多的化合物信息，完善的质谱谱库为客户在未知物匹配分析方面提供了强有力的支持。对光刻胶、湿电子化学品中未知物的探索和反应机理拓展将促进相关行业的质量标准不断提升。 赛默飞GD-MS家王贇杰为在座家详细介绍了GD-MS(辉光放电质谱法)的使用特点和应用域。辉光放电质谱法采用固体直接进样技术，具有样品制备简单，背景低，测试高效等优点。 “ Element GD采用双模式快速流离子源，连续直流放电具有高溅射效率，高分析灵敏度和低的记忆效应特点，脉冲放电适合于非导体、低熔点金属和镀层分析，并结合高分辨率磁质谱确保无干扰分析。使Element GD在硅和碳化硅表面和体相杂质、6N+高纯铜、高纯钼、5N高纯金及氧化铟锡ITO等溅射靶材中痕量杂质分析中得到广泛的应用。赛默飞与客户合作，充分利用Element GD的优异性能，服务并yin高纯金属靶材以及碳化硅等三代半导体材料检测的新技术和新标准。 |
